ISL9N310AS3
คําอธิบาย:
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM ปรับให้เหมาะสม
ประเภท:
ชิปวงจรรวม
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
ประเภทสินค้า ::
เซมิคอนดักเตอร์-วงจรรวม - ไอซี
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ ::
- 55 องศาเซลเซียส
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
การกระจายพลังงาน Pd::
70 ว
เวลาหน่วงเวลาทั่วไป::
11 น
บรรจุุภัณฑ์ ::
ท่อ
เวลาฤดูใบไม้ร่วง ::
36 น
แรงดันพังทลายของแหล่งกำเนิด Vds-drain::
30 โวลต์
ผู้ผลิต ::
เซมี่
ความยาว ::
10.29 มม
หน้ากว้าง ::
4.83 มม
การกำหนดค่า::
เดี่ยว
Vgs - แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
20 โวลต์
หน่วยน้ำหนัก ::
2.387 ก
Rds ความต้านทานต่อแหล่ง On-drain ::
15 มิลลิโอห์ม
เวลาเพิ่มขึ้น ::
52 น
จำนวนช่อง ::
1 ช่อง
เวลาหน่วงเวลาการปิดระบบโดยทั่วไป::
39 น
ความสูง ::
7.88 มม
กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง ID ::
62 ก
ประเภททรานซิสเตอร์ ::
1 N-ช่อง
รูปแบบการติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
ปริมาณบรรจุภัณฑ์จากโรงงาน ::
50
โหมดช่อง::
การเพิ่มประสิทธิภาพ
เทคโนโลยี ::
ศรี
ชุด ::
ISL9N310
บทนำ
ISL9N310AS3, จาก onsemi, เป็นครึ่งตัวนํา-วงจรบูรณาการ - ICs.สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก, ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่.หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: