APTGV50H120T3G
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 75A 270W SP3
ประเภท:
วงจรรวม TI
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
75 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP3
Mfr:
ไมโครเซมิ คอร์เปอเรชั่น
อุณหภูมิการทํางาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
NPT, หยุดสนามร่องลึก
กำลัง - สูงสุด:
270 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
บทนำ
IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount SP3
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: