MUN2116T1G
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
PNP - พรีไบแอส
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
250mV ที่ 1mA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SC-59
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
4.7 กิโลโอห์ม
Mfr:
เซมี่
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
230 มิลลิวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
MUN2116
บทนำ
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) PNP - ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 50 V 100 mA 230 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: