UNR51A5G0L
คําอธิบาย:
ทรานส์ พรีเบียส PNP 150MW SMINI3
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
80 ม
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
PNP - พรีไบแอส
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
80 เมกะเฮิรตซ์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
เอสมินิ3-F2
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
10 กิโลโอห์ม
Mfr:
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ของพานาโซนิค
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
150มิลลิวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
เอสซี-85
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
UNR51
บทนำ
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: