PDTA114EQB-QZ
คําอธิบาย:
PDTA114EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
PNP - พรีไบแอส
ความถี่ - การเปลี่ยน:
180 เมกะเฮิรตซ์
ประเภทการติดตั้ง:
Surface Mount, ปีกด้านเปียก
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
ยานยนต์, AEC-Q101
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
100mV @ 500µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
DFN1110D-3
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
10 กิโลโอห์ม
Mfr:
Nexperia USA Inc.
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
10 กิโลโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100nA
กำลัง - สูงสุด:
340 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
3-XDFN แผ่นสัมผัส
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
พีดีเอ114
บทนำ
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) PNP - ทรานซิสเตอร์ 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: