PBRN113ET-QR
คําอธิบาย:
PBRN113ET-Q/SOT23/TO-236AB
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
600 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
ยานยนต์, AEC-Q101
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
1.15V @ 8mA, 800mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
40 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-236AB
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
1 โอห์ม
Mfr:
Nexperia USA Inc.
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
1 โอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
250 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
270 @ 800mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
PBRN113
บทนำ
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ 40 V 600 mA 250 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: