DDTC123ECAQ-7-F
คําอธิบาย:
พรีไบอัสทรานซิสเตอร์ SOT23 T&R 3K
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
NPN - อคติล่วงหน้า
ความถี่ - การเปลี่ยน:
250 เมกะเฮิรตซ์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
ยานยนต์, AEC-Q101
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สท-23-3
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
2.2 กิโลโอห์ม
Mfr:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
2.2 กิโลโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
200 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
20 @ 20mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
DDTC123
บทนำ
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) NPN - ทรานซิสเตอร์ 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: