GC9911-S12
คําอธิบาย:
SI SCHOTTKY ไม่ใช่ HERMETIC BEAM LE
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ไดโอดผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแบบแยกส่วน ไดโอด RF
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
ความจุ @ Vr, F:
0.1pF @ 0V, 1MHz
ความต้านทาน @ ถ้า, F:
20โอห์ม @ 5mA, 1MHz
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):
2V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
กล่อง / กระเป๋า:
2-SMD, ตะกั่วแบน
ประเภทไดโอด:
ชอตกี้ - Single
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C
บทนำ
ไดโอ้ด RF Schottky - 2V เดี่ยว
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: