VS-GB55NA120UX
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
84 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
เฮ็กซ์เฟรด®
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สทศ-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
431 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
GB55
บทนำ
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 1200 V 84 A 431 W หม้อตั้ง SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: