FF600R12ME4CBOSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1,060 อ
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 600A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
3 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
4050 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
37 nF @ 25 V
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF600R12
บทนำ
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต๊อปสนาม สะพานครึ่ง 1200 V 1060 A 4050 W โมดูลติดชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: