NXH350N100H4Q2F2SG
คําอธิบาย:
ไอซีโมดูล PIM 350A 1000V
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
303 อ
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 375A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1,000 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
เซมี่
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
592 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
24.146nF @ 20 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามระดับ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
NXH350
บทนำ
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนามสามระดับ Inverter 1000 V 303 A 592 W ชาซี Mount 42-PIM/Q2PACK (93x47)
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: