APT150GT120JR
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 170A 830W ไอโซโทป
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
170 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
สายฟ้า IGBT®
กล่อง / กระเป๋า:
ไอโซโทป
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ไอโซโทป®
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
150 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
830 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APT150
บทนำ
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 1200 V 170 A 830 W ชาซี Mount ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: