FF400R07KE4HOSA1
คําอธิบาย:
IGBT MODULE 650V 1250W
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ค
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.95V @ 15V, 400A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
กำลัง - สูงสุด:
1250 วัตต์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
26 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF400R07
บทนำ
โมดูล IGBT ช่องปิดสนาม 2 เอกชน 650 V 1250 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: