APTGLQ100A65T1G
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 650V 200A 350W SP1
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
200 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
เอสพี1
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
เอสพี1
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
350 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGLQ100
บทนำ
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานครึ่ง 650 V 200 A 350 W ผ่านช่อง SP1
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: