FZ1200R45HL3BPSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1200 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ไอเอชเอ็ม-บี
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 1200A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
4500 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
15,000 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
280nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
สวิตช์เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FZ1200
บทนำ
โมดูล IGBT ติดกรังสนามสวิทช์เดียว 4500 V 1200 A 15000 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: