F3L400R12PT4PB26BOSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
800 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
อีโคโนแพ็ค™ 4
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 400A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
20 เมกะวัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
25nF @ 25V
การกำหนดค่า:
สะพานเต็ม
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
F3L400
บทนำ
โมดูล IGBT สะพานเต็ม 1200 V 800 A 20 mW โมดูลการติดตั้งชาสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: