MG12100S-BN2MM
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
140 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล S-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 100A (ประเภท)
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
S3
Mfr:
ลิตเติลฟิวส์ อิงค์
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
450 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
7.1nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
บทนำ
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานครึ่ง 1200 V 140 A 450 W
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: