APTGF330DA60D3G
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
460 อ
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล D-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 400A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D3
Mfr:
ไมโครเซมิ คอร์เปอเรชั่น
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
750 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
1400 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
บทนำ
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 600 V 460 A 1400 W แชสซี่มอนท์ D3
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: