APTGT50H120T3G
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 75A 270W SP3
ประเภท:
วงจรรวม TI
In-stock:
ในคลัง
วิธีการชำระเงิน:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
75 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP3
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
270 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGT50
บทนำ
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนาม สะพานเต็ม Inverter 1200 V 75 A 270 W แชสซี่ Mount SP3
ส่ง RFQ
สต็อค:
In Stock
MOQ: